BJT의 동작점과 증폭기로서의 특성

소개글

BJT의 동작점과 증폭기로서의 특성을 기초 원리부터 시작해서 상세히 설명한 후
실험을 통하여 이론치와 실험치의 비교 오차분석 등등 입니다.

목차

{1} 실험의 목표
{2} 기본 이론
{3} 사용기기와 부품
{4} 실험 내용과 방법
{5} 결론, 오차분석

본문내용

1. BJT의 동작점과 증폭기로서의 특성.
바이폴라 트랜지스터에는 PNP 트랜지스터와 NPN 트랜지스터의 두 종류가 있다. PNP 트랜지스터는 P형 반도체, P형 반도체가 순서대로 층을 이루어 만들어진 것이고, NPN 트랜지스터는 N형 반도체, P형 반도체, N형 도체가 순서대로 층을 이루어 만들어진 것이다. 두 PN 접합 가운데 하나에는 순방향 전압을, 다른 하나의 접합에는 역방향 전압을 걸어주어 능동영역에서 동작하는 것을 생각하여 발명되었다.
PNP 트랜지스터를 예로 들면, 순방향 전압이 걸린 PN 접합에서 P형 반도체에 있던 정공은 역방향 전압이 걸린 NP 접합에서 끌려가 P형 반도체로 끌려간다. 이 PNP 트랜지스터에서, 순방향 전압이 걸린 PN 접합의 P형 반도체를 정공을 넣어주는 곳이라는 의미에서 이미터(emitter)라고 한다. 그리고 역방향 전압이 걸린 NP 접합의 P형 반도체를 정공을 끌어가는(collect) 곳이라는 의미에서 컬렉터(collector)라고 한다. 우리는 P형 저항과 N형 저항을 붙여 놓은 PN 접합 다이오드는 저항과는 전혀 다른 정류기 모습의 전류-전압 특성을 보였음을 알고 있다. PN 접합다이오드 두 개를 붙여놓은 트랜지스터도 다이오드와는 전혀 다른 차원의 전류-전압 특성을 보인다. NPN 트랜지스터에는 이미터인 N형 반도체에 많이 있는 전자가 순방향 전압에 의하여 P형 반도체로 주입된다. 그리고 P형 반도체로 주입된 이 소수 캐리어인 전자가 역방향 전압이 걸린 PN 접합에서 컬렉터인 N형 반도체로 끌려가게 된다. 이렇게 트랜지스터의 구조는 다르지만 기본적인 동작은 같아서 순방향 전압이 걸린 접합에서는 가운데 층 으로 소수 캐리어를 주입시키고, 역방향 전압이 걸린 접합에서는 가운데 층 에 주입된 소수 캐리어를 끌어간다. 이 가운데 층을 베이스라고 한다. 베이스에 주입된 소수 캐리어는 원래 베이스에 있던 다수 캐리어와 재결합하여 없어질 수도 있다. 그러므로...

참고 자료

[1] 김상배 저, 기초 전기전자실험(개정판), 홍릉과학출판사