화합물 반도체

소개글

화합물 반도체 리포트
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목차

1.정의 및 종류, 물성
1.1 정의
1.2 종류
1.3 물성
1.3-1 결정구조
1.3-2에너지 밴드 구조
1.3-3 에너지 밴드 갭
1.3-4 상태도

2.Si 반도체와의 차이

3.제조공정
3.1 단결정 성장
3.2 LPE법에 희한 박막 성장
3.3 VPE법에 의한 박막 성장
3.4 MOVPE법에 의한 박막 성장
3.5 MBE법에 의한 박막 성장

4. 응용
4.1 광검지기
4.2 태양전지
4.3 EL 소자
4.4 LED 및 LD
4.5 고온논리소자로서의 응용
4.6 HEMT
4.7 초격자소자
4.8 나노 결정의 응용 가능성

-참고문헌-

본문내용

4.1 광검지기
Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체의 중요한 소자 응용중의 하나가 광검지이다. 이상적인 광검지지는 RF로부터 UV또는 X선에 이르기까지 광범위한 파장영역에 대해 민감해야 하나 실제로는 파장에 대한 감도가 제한되어 각각의 검지기는 특별히 제한된 영력 즉 원적외, 근적외, 가시광, 자외, 광자 및 소립자선에 따라 재료가 달라진다. 반도체가 검지할수 있는 복사선의 가장 긴 파장은 다음의 식과 같이 에너지 밴드갭에 의해 결정된다.

따라서 각 반도체의 에너지 밴드갭은 그 물질의 응용범위를 한정짓는 중요한 인자가 된다. Ⅱ-Ⅵ족 화홥물 반도체에서는 거의 같은 결정구조와 화학적인 구조를 가지고 있고, 전조성에서 상호 고용될 수 있는 조성쌍의 혼정을 구성할 수 있어 넓은 범위의 파장에 대한 감도를 갖는다.
광검지 소자에 응용되는 광전현상은 광전자 방출효과, 광전도 효과, 광기전력 효과 미치 광자전효과등으로 세분되는데, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체와 관련지어 보면 다음과 같다.

(1)광도전 효과
광전도 효과는 광에 의한 자유 캐리어가 생성되어 반도체의 저항이 감소하는 현상으로 그림17에 그 소자구조를 나타내었다. 앞에서 언급한 바와 같이 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체의 에너지 밴드갭은 근자외선부터 적외선 까지 분포하며, 그 저항율도 1Ωcm에서 1010Ωcm정도로 광범위한 파장에 대한 광검지소자로 응용된다.

가시광용 광도전 소자로서 CdS와 CdSe가 많이 연구되어 왔으며, 고감도의 n형 광도전체로 알려져 가시광영역에서도 널리 사용되고있다. CdS셀은 보통 소결법에 의하여 제작되는데 전극으로는 Al, In, Sn등을 진공증착한다. CdSe소자의 제작법도 CdS와 비슷한데 CdS셀은 500~600nm CdSe 셀은 700~800nm 과장법위에 대한 감도를 가지며 CdS와 CdSe를 혼합하여 열처리 하면 이들 두가지 파장에 대한 감도를 갖는 소자를 제작할 수 있다.
현재 적외선 검출용 광도전 소자로 중요한 위치를 차지하고 있는 것은 MCT이다

참고 자료

1. Properties and Growth Processes of Compound Semiconducting Materials, Sang Hee SUH, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Seoul 136-791
2.Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체의 개발동향 및 전망
3. 최신전기전자재료-동일출판사
4. 전기전자재료-동일출판사
5. 반도체소자기술- 한국전자통신연구소
6. 21세기 과학과 반도체 나노 화학 - PartⅠ. 원리와 현상 -
7. http://home.inje.ac.kr/%7Eradius/reseach/main.htm
8. http://chem.yonsei.ac.kr/%7Echeon/
9. http://patent.naver.com/patent/