고휘도 LED

소개글

고휘도 LED

목차

1.LED란?
2. 고휘도 LED
3.고휘도 LED의 발광효율
4. 고출력 LED의 구조
5. 고출력 LED의 특성
6. 전원구동장치설계 요건

본문내용

1.LED란?
LED(Light Emitting Diode)는 전기 에너지를 빛에너지로 변환시켜주는 발광반도체 소자로서 그림 1-1과 같이 정공을 소수캐리어로 갖는 p형 반도체와 전자를 소수캐리어로 갖는 n형 반도체의 이종접합 구조를 가진다. 소수캐리어는 인가된 전압에 의해 서로 반대방향으로 이동하는 과정에서 활성층(QW)에서 만나 재결합을 하며 갖고 있던 여기에너지를 광자의 형태로 방출하는데 이때 방출되는 광자의 파장은 활성층이 갖는 고유의 에너지갭에 의해 결정되어진다.

일반적으로는 직접에너지대를 갖는 화합물반도체에서 발광현상을 관찰할 수 있는데 최초로 반도체에서 발광현상이 관찰된 것은 1923년 간접에너지대를 갖는 SiC 재료에서였다. 그러나 간접에너지대를 갖는 SiC는 효율이 매우 낮아 겨우 발광현상만을 관찰 할 수 있을 정도였으며 실용적인 최초의 LED는 1962년 GE에서 개발된 GaAsP를 사용한 적색 LED이고 Monsanto 사에 의해 1969년부터 본격적으로 양산이 시작되었다.
1980년대에는 AlGaAs 재료를 이용한 고휘도 적색 LED가 개발되면서 표시기 수준에 머물렀던 LED 응용범위가 sign, signal, display 분야로 확장되기 시작하였고 1992년 InGaAlP 재료를 이용한 초 고휘도 적색 LED가 개발되면서 응용영역이 넓어지기 시작하였다. 질화물계 반도체는 1986년 아가사키 교수가 저온 AlN 버퍼를 이용한 GaN MIS 구조에서 발광현상을 발표하였으며 1993년 일본 니치아 화학공업주식회사의 버퍼를 이용한 청색

참고 자료

없음