DRAM의 기본적인 작동원리

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최초 등록일: 2001.10.12
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DRAM의 기본적인 작동원리
DRAM 메모리의 구조는 스프레드시트를 연상하면 된다. 각각의 셀에는 capacitor가 있고, 1비트 또는 그 이상(칩의 구조에 따라 달라진다)의 데이터를 저장하고 있다. 메모리 자체는 row와 column으로 주소가 나뉘는데, row/column 디코더에 의해서 메모리를 access하게 된다. row/column 디코더는 RAS와 CAS clock 발생기에서 신호를 받아들이면서 작동하게 된다. 메모리를 access하는 트랜지스터를 ‘sense amp’라고 하는데 이는 각각의 행에 연결되어 read/restore 기능을 담당한다. (각 셀에는 capacitor가 있기 때문에 한 주기가 끝나고 나면 방전되는데 sense amp는 한 access 주기가 끝나기 전에 데이터를 다시 복원시키는 역할을 한다.)

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