단전자 트랜지스터
- 최초 등록일
- 2012.06.25
- 최종 저작일
- 2011.02
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소개글
단전자 트랜지스터 학사 논문
목차
Abstract ⅱ
List of figures ⅲ
Ⅰ. 서 론 1
1.1 단전자 트랜지스터란 1
1.2 단전자 트랜지스터의 구조 2
Ⅱ. 본 론 4
2.1 단전자 트랜지스터의 역사 4
2.2 단전자 트랜지스터의 종류 5
2.3 단전자 트랜지스터의 원리 6
2.3.1 측정방법 6
2.3.2 쿨롱 봉쇄 7
2.3.3 쿨롱 진동 9
2.3.4 쿨롱 봉쇄 진동 10
2.3.5 쿨롱 다이아몬드 11
2.4 단전자 트랜지스터의 결과 12
Ⅲ. 결 론 13
참고문헌 또는 인용문헌 14
본문내용
2.1 단전자 트랜지스터의 역사
단전자는 밀리컨이 실험을 통해서 발견하게 되었다. 고체상태에 회로에서 단전자는 1980년대 까지도 이미 중요한 뒷배경이 받침되었음에도 불구하고 확실하게 규명되지 않았는데 이처럼 규명이 지연된 이유는 단전자를 조작할 수 있는 매우작은 전도성 입자의 재현성 있는 제작과 외부 전극의 정밀한 위치가 요구되기 때문이었다.
나노 제작 기술은 지난 20년을 통해 가능하게 되었고 고체 물리와 단전자 이론이라는 새로운 장을 열게 되었다. 단전자 트랜지스터의 역사를 더 자세하게 보자면 1965년 노벨 물리학상을 받은 Richard P. Feynman이 하나의 전자 및 원자의 거동을 예측 할 수 있다면 양자화된 에너지 레벨을 포함하는 어떤 시스템이나 양자 스핀의 상호작용 등을 이용할 수 있게 될 것이라고 하면서 단일 전자, 원자의 제어가 가능해질 것을 예시하였다.
1981년 노벨 물리학상을 받은 Gerd Binnig, Heinrich Rohrer은 Feynman의 예상대로 주사형 터널 현미경을 사용한 원자 및 분자 조작이 가능하다는 것을 밝혀냈으며
1985년 Dmitri V. Averin와 Konstantin K. Likharev가 Coulomb Blockade 현상을 이론적으로 금속 dot에서 처음으로 제안하였다.
1987년에는 T.A. Fulton과 G.J. Dolan이 알루미늄 구조상에서 단전자 터널링 제어의 명확한 증명을 해 보였고, 이 시스템에서 Coulomb Oscillation을 보였다.
아시아에서는 1997년 일본전신전화(NTT)는 소비전력이 종래의 약 10만 분의 1인 저소비전력 소자인 단전자 트랜지스터를 집적화하는 기술을 세계 최초로 개발하였다. NTT는 단전자 트랜지스터 2개를 연결한 인버터 회로를 만들어 컴퓨터의 기본회로 제작에 성공했다. 이 회로는 소비전력뿐 아니라 크기도 종래의 약 100만 분의 1 이하로 줄이는 데 성공했다.
참고 자료
C. S. Lent et al., APPLIED PHYSICS LETTERS 71, 1730, 1997
LG 주간경제, 소재 산업의 패러다임을 변화시키는 나노기술, 2003
S. Babiker et al., “Simulation of Single-Electron Transport in Nanostructured Quantum Dots” IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 52, No.3, 2005
Pekola, J.P.et al. Hybrid single electron transistor as a source of quantized electric current. Nature Phys, 2007
