DB 하이텍 양산개발 직무 22년 하반기 면접 공부 자료(반도체 면접 자료)

소개글

DB 하이텍 양산개발 직무 22년 하반기 면접 공부 자료(반도체 면접 공부 자료) 입니다. 해당 자료로 공부하고 직무 면접 무난하게 합격했고 최종합격까지 했습니다.

목차

없음

본문내용

1. 패터닝 공정이란 무엇인가
패터닝 공정은 크게 증착(deposition)과 노광(lithography), 식각(etching)으로 구성된다. 각각 원하는 소재를 박막 형태로 깔고, 노광으로 패턴을 인쇄한 후 필요하지 않은 부분을 제거하는 과정이다. 즉, 원하는 반도체 회로의 패턴을 만드는 중요한 공정이다.
노광, 증착 공정도 중요하지만 그중 식각 공정이 가장 중요하다고 생각한다. 왜냐하면 Under Etch와 같이 잘못 식각될 경우, 후속 공정에 큰 문제를 야기할 수 있으며, 해당 Wafer 자체를 사용하지 못할 수 있기 때문이다. 또한 선폭이 미세화됨에 따라 패턴의 복잡도 또한 증가했는데, 이러한 복잡한 패턴을 정확하게 실현할 수 있게 해주는 공정이 식각 공정이기 때문이다.
반도체 미세화에 따른 resolution에 한계 때문에 멀티패터닝 등을 사용하기도 합니다.
분해능이 떨어지는 경우, 공정 진행 시 pitch 사이에 빈 공간이 있는데 이 pitch 사이에 추가적인 패턴을 만들어주어 패턴의 밀도를 높이는 공정이 멀티패터닝 공정입니다.
종류에는 LLE, LELE SADPT 등이 있습니다.
▶ Resolution(분해능) : 서로 떨어져 있는 두 물체를 서로 구별할 수 있는 능력으로 포토공정으로 패턴을 웨이퍼에 전사할 수 있는 최소 선폭의 한계를 말하며, 값이 작을수록 공정에 유리
▶ 분해능 향상 방법 : 단파장 사용(EUV), 높은 개구수(큰 렌즈크기)를 사용, 매질 교체(액침노광) 방법 등
▶ 초점심도(DOF) : 렌즈를 통과한 빛을 조사했을 때 초점을 맞출 수 있는 범위로 도포된 PR은 모든 높이의 범위가 DOF 안에 들어야 공정이 가능하므로 값이 클수록 공정에 유리함. 분해능과 초점심도는 반비례 관계이며, 노광설비 내의 공간적 제한 등으로 인해 렌즈의 크기를 키우는 데 어려움이 있음.
▶ Hard Mask Patterning : 패턴이 작으면서 깊게 식각을 하려면 PR 두께가 높아져야 하나, 두꺼운 두께의 PR 사용 시 패턴이 쓰러질 수 있고, 파장이 낮아질수록 PR의 내성이 약해진다. 또한 둥그스름한 형태를 하고 있어 물리적인 상태로도 취약하다. 이런 문제를 해결하기 위해 PR 패턴을 단단한 물질로 전사해서 만드는 작업을 하드 마스크 패터닝 작업이라 하며, 하드 마스크의 재료로는 SiO2, Si3N4, 비정질 탄소층 등의 증착을 통해 진행한다.