반도체 전자전기면접준비 삼성DS,SET,SK하이닉스,LG전자,이노텍,실리콘웍스,현차 등
- 최초 등록일
- 2021.07.27
- 최종 저작일
- 2021.06
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어도비 PDF
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소개글
안녕하세요.
전자전기공학과 취업 면접 관련하여, 반도체 부분 면접 스터디 자료입니다.
중요한 내용과 기출, 책 등 다양한 자료를 참고해 공부하며 정리한 자료입니다.
면접에 대한 정보가 부족하신 분들의 경우는 면접에 어떠한 내용이 나오는지 어떤 것을 공부해야하는지 갈피를 잡기에 좋고,
면접 준비가 어느정도 되신 분들은 놓친 부분이 없는지 확인하기에도 좋습니다.
면접에 자주 나오는 기본적인 내용부터, 가끔씩 어려운 문제로 나오는 내용들까지 정리하였습니다.
이 자료를 베이스로 해서, 추가적인 정보를 업데이트 하시면 보다 효율적인 면접 준비가 될 수 있을 것이라고 생각합니다~
목차
1. BJT (Bipolar Junction Transistor) 동작원리
2. BJT Drift current / Diffusion Current / High Field Effect
3. Early Effect
4. MOSFET 동작원리
5. MOSFET Pinch-Off
6. MOSFET RC 등가화
7. 반도체 8대공정
8. CMOS Patterning 과정
9. Design Rule
10. 축퇴, 비축퇴 반도체
11. Tunneling Effect
12. FN tunneling (Fowler-Nordheim tunneling)
13. Crosstalk
14. Ground Bounce
15. 파울리 배타 원리
16. Fermi-Dirac Statistics
17. Body Effect
18. Avalanche Breakdown & Zener Breakdown
19. MOSCAP
20. PN Junction
21. Timing (setup time, hold time, clock-to-Q delay)
22. Clock Uncertainty 요소들
23. DRAM
24. SRAM
25. NAND
26. NAND vs NOR
27. V-NAND
28. TG (Transmission Gate)
29. Schmitt Trigger
30. Short Channel Effect
본문내용
- 활성모드 -
1) E-B 순방향이기 때문에 전자가 B로 넘어간다.
-> 이때, 몇몇 전자는 B의 정공과 결합한다.
2) C-B 역방향으로 인해 전기장이 형성되고, 그 힘으로 B로 넘어온 전자가 C로 빨려 들어간다.
: ‘매우 낮은 B 전류를 가지고 C와 E 간의 전류를 조절한다’는 것은, 다른 시각으로 보면 ‘B 전류의 작은 변화가 C와 E 간의 전류를 크게 변화시킨다’는 것으로 이해할 수 있다. 이것을 전류증폭이라고 한다.
