서울시립대 전전설3 11주차 결과 보고서 MOSFET 2
- 최초 등록일
- 2024.07.15
- 최종 저작일
- 2023.05
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목차
1. 실험 과정 및 결과 보고서
1) 실험 1 : MOSFET의 parameter estimation
2) 실험 2 : Source resistor가 없는 CS amplifier
3) 실험 3 : Source resistor를 포함하는 CS amplifier
2. 결과 보고서
1) Experimental Results
2) Analysis
본문내용
I. Introduction :
본 실험에서는 MOSFET의 small-signal model을 이해하고, 이를 이용하여 amplifier의 일종인 common-source amplifier를 설계해본다.
II. Experiment Setup :
실험 1의 회로는 그림 1과 같이 구현하였으며, 사용된 소자의 값은 아래와 같다.
Resistor : 100Ω
NMOS : 2N7000
실험 2의 회로는 그림 2과 같이 구현하였으며, 사용된 소자의 값은 아래와 같다.
Resistor(R_G1,R_G2,R_D,R_L) : 50 kΩ, 가변저항, 220 Ω, 10 kΩ
Capacitor : 10 μF
NMOS : 2N7000
실험 3의 회로는 그림 3과 같이 구현하였으며, 사용된 소자의 값은 아래와 같다.
Resistor(R_G1,R_G2,R_D,R_L,R_S) : 50 kΩ, 가변저항, 220 Ω, 10 kΩ, 50 Ω
Capacitor : 10 μF, 10 μF
NMOS : 2N7000
III. Experimental Results & Analysis :
III.1. MOSFET의 parameter estimation
1) VDD의 값을 0 V에서부터 서서히 증가시키면서, drain current ID가 20 mA가 되는 VDD의 값을 찾고, ID = ID1, VDD = VDD1, VGS = VGS1를 기록하세요
I_D의 값이 20mA가 될 때의 V_DD, V_GS 측정값은 위와 같다. 회로에서I_D=I_R이므로 R=100 Ω일 때 I_D가 20 mA이기 위해서는 V_R=I_D R=0.02*100=2V이며, 이때 V_DD는 약 4.8 V로 측정되었다. 계산을 통해 V_GS를 구해보면 V_GS=4.8-2=2.8V를 얻을 수 있고 실제 실험을 통해 측정했을 때 약 2.7V가 나옴을 확인할 수 있었다.
참고 자료
없음