반도체 공정 (간단 정리)

소개글

반도체 공정 간단정리 한 장 짜리 자료입니다.
유용하게 사용하시길 바랍니다.

목차

1. 단결정 성장
2. 규소봉 절단
3. 웨이퍼 연마(CMP)
4. 회로설계
5. 마스크 제작
6. 산화공정
7. 감광액 도포
8. 노광
9. 현상
10. 식각
11. 이온주입
12. 증착
13. 배선
14. 웨이퍼 뒷면연마
15. 웨이퍼 절단
16. 칩자동선별
17. 금선연결, 성형
18. 최종검사
19. 마킹
20. 출시

본문내용

1. 단결정 성장
반도체 원료: 규소
규소는 모래에 많은데, 반도체원료로 사용 위해 정제과정 필요
모래(Si)를 뜨거운 열로 녹여 고순도 Si 용액 만듦->둥근 막대모양(Ingot) 만듦->식힘->단결정 규소봉
2. 규소봉 절단
규소봉 지름 따라 웨이퍼 크기 결정
3. 웨이퍼 연마(CMP)
규소봉에서 잘라낸 웨이퍼 표면은 흠집 있고 매끄럽지 X
->회전판위에 올려놓고 연마액 사용해 반짝이게 갈아냄
4. 회로설계
CAD 등 설계시스템 사용해 전자회로 설계
5. 마스크 제작
큰 전자회로 패턴을 작은 유리판 위에 옮기는 작업
전자빔, 설비 이용해 회로패턴을 유리판위에 그려 넣으면 마스크 완성

참고 자료

없음